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Philips Tecnologia (Xangai) Co., Ltd.
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Detector de semicondutores de silício de ouro totalmente automático

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Visão geral

Nossa empresa produz detectores de semicondutores de barreira frontal de silício de ouro parcialmente esgotado, a série A tem alta resolução de energia, janela fina e outras características, aplicáveis ​​a ocasiões com altos requisitos de espectro energético, como analisador de radonio, etc., a série B na janela da série A revestido com uma camada de proteção, superando a vulnerabilidade, janela não pode esfregar e outras desvantagens aplicáveis ​​a requisitos de resolução energética não são altos, como detector de medição de intensidade radioativa.

Detalhes do produto

Detector de semicondutores de silício de ouro

Visão geral

Nossa empresa produz detectores de semicondutores de barreira frontal de silício de ouro parcialmente esgotado,Um A série tem alta resolução de energia, janelas finas e outras características, adequadas para ocasiões com altos requisitos de espectro energético, como analisadores de radonio e paládio, etc.O B Série em Um A janela da série é revestida com uma camada de proteção para superar a vulnerabilidade à danificação, a janela não pode ser esfregada e outras desvantagens aplicadas aos requisitos de resolução energética não elevados, como um detector de medição de intensidade radioativa.

Especificações técnicas

modelo

Tensão de trabalho

Espessura da zona de esgotamento milímetros

ContrasteOrtec

Modelo U-016-300-100

Detectores

(Am-241 (em inglês)Resolução energética medida no vácuo1.2

ContrasteOrtec

Modelo U-016-300-100

Detectores

(Am-241 (em inglês)Localização do pico de medição no vácuo202

O A-AS20

5 ~ 300VDC

maior que 1000

0.7~1.4

204~206

O A-AS26

5 ~ 300VDC

maior que 1000

0.7~1.4

204~206

O B-AS20

5 ~ 300VDC

maior que 1000

4.0~4.9

189-191

O B-AS26

5 ~ 300VDC

maior que 1000

4.2~4.9

189-191